直流磁控濺射： 直（zhí）流磁控濺（jiàn）射是在直流二級濺射的基礎（chǔ）上，在靶材後麵安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電（diàn）膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕（jué）緣體的話，將（jiāng）會（huì）迅速造（zào）成靶（bǎ）材（cái）表麵電荷積累，從而導致濺射無（wú）法進行。所以對於純金屬靶材（cái）的（de）濺射，均采用直流磁控濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常（cháng）用來進行反應濺射，如金屬（shǔ）氧化物、碳化物等，將（jiāng）少許反應性（xìng）氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一（yī）起輸入（rù）到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉（chén）積。

對於一些不易找到的塊（kuài）材料製成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易偏離原靶材成分，也（yě）可（kě）通（tōng）過反應沉積來（lái）獲（huò）得改善（shàn）。