用來進行介質膜的濺射，如在玻璃上鍍（dù）ITO膜之前需鍍上一層SiO2擴散隔離（lí）層，該SiO2膜就是采用射頻濺射。
通常在（zài）濺射（shè）過程中輝光放電中的離子（zǐ）撞擊到陰極時，會與陰極的電子中和，是的濺射（shè）現象可以繼續進行。
但若靶材本身不導電的話，離子撞擊（jī）到靶材上沒有電子中和（hé），
正電荷一（yī）直累積，使與後來的離子排斥（chì），這會造成取代直流電源，使可解決此離子撞擊現象的停（tíng）頓。
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