磁控濺（jiàn）射具有以下兩大優（yōu）點：提高等離子密度，從而提高濺射速度；減少轟擊零件的電子數目，因而降（jiàng）低了基（jī）材因電子轟（hōng）擊的升溫。

因此，該技術在薄膜技術中占有主導（dǎo）地位。磁控濺射陰極的最大缺點：使用平麵靶材，靶材（cái）在跑道區形成（chéng）濺射溝道，這溝道一旦貫穿靶材（cái），則整塊靶材即報（bào）廢，因而靶材的利用率隻（zhī）有20-30%。

不過，目前為了避免這個缺點，很多靶材采用（yòng）圓（yuán）柱靶材形式，靶材利用率得以大幅度提高。