真空蒸發鍍膜（mó）是指在真空條件下，通過蒸發源加（jiā）熱蒸發某種物（wù）質使（shǐ）其沉積在基（jī）板材料表麵來獲得薄膜的一種技（jì）術。

被蒸發的物（wù）質被稱為蒸鍍材料。蒸發鍍膜最早由 M.法拉第在 1857年提出，經過一百（bǎi）多年的發展（zhǎn），現已成為主流鍍膜（mó）技術之一。

真空蒸（zhēng）發鍍（dù）膜係統一般由三個部分組成：真空室、蒸發源或蒸發加熱裝置、放（fàng）置基（jī）板及給基板加熱裝置。

在真空（kōng）中為了蒸發待沉積的材料，需要容器來支撐或盛裝蒸發物，同時需要提供蒸發熱使蒸發物達到足夠高（gāo）的溫度以產生所需的蒸汽壓。

真空蒸發鍍膜技術具有簡單便利、操作方便、成膜速度快等特點，是應用廣泛的鍍膜（mó）技術，主要應（yīng）用於（yú）光學元器件、LED、平板顯示和半導體分立器的鍍膜。

真空鍍膜材料按照化學成（chéng）分主要（yào）可（kě）以分（fèn）為金屬/非金屬顆粒蒸發料，氧化物蒸發料，氟化物蒸發料等。