偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中（zhōng）施加在基體上的負電壓。偏壓電源的正極（jí）接到真空室上，同時真空（kōng）室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大地的電壓一般認為是零電位，所以工件上的電（diàn）壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓（yā）。

負偏壓的作（zuò）用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基片上吸附的氣體（tǐ）和油汙等，有利於提高膜（mó）層結合強（qiáng）度；
活化基體表麵；
對電（diàn）弧離子（zǐ）鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化作用；

偏（piān）壓的（de）分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈衝（chōng）偏壓
直（zhí）流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏壓

直流偏壓和脈衝偏（piān）壓的比較

傳統的電弧離子鍍是在基片台上施加直流負（fù）偏壓控製離子轟擊能量, 這種沉積工藝存（cún）在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在回火溫度低的基體上沉積（jī）硬質膜。
        高能離子（zǐ）轟擊造（zào）成嚴重的（de）濺射, 不能簡單通過（guò）提高離子轟擊能量合成高反應閾能的（de）硬質薄膜。
直流（liú）偏壓電弧離（lí）子鍍工藝中,為了（le）抑製因離子對（duì）基（jī）體（tǐ）表麵連續轟擊而導致的基體溫度過高,主要采（cǎi）取減少沉積功率、縮短沉積時間、采（cǎi）用間歇沉積方式等措施來（lái）降低沉積溫度，這些（xiē）措（cuò）施可以概括地稱為能（néng）量控製法'這種方法雖然可以（yǐ）降低沉積溫（wēn）度,但（dàn）也使薄膜的某些性能下降,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定性，因此,難（nán）以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離子鍍工藝中,由於離子是以非連續的脈衝方式轟擊基體表麵,所以通過調節脈衝偏壓的占空比,可改變（biàn）基體內部與表麵之間的溫（wēn）度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效果,達到調控沉積溫（wēn）度的目的。這樣就可以把施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開(互不影響或影響很小)調節,利用（yòng）高壓脈（mò）衝來獲得高能離子的轟擊效應以（yǐ）改善薄膜的組織和性能,通過降低占空（kōng）比來減小離子轟擊的總加熱效應以降低沉積溫度。

偏壓對（duì）膜層的影響

偏壓對膜層的影響（xiǎng）機（jī）製是很複雜的，下麵列出了一些主要影響，可以根據自己的使（shǐ）用工藝，觀察總（zǒng）結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影響（xiǎng）規律。
        膜層結構、結晶構造（zào）取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨化（huà）
        膜層硬（yìng）度
        膜（mó）層致密度
        表麵形貌
        內應力

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