磁控濺射技術自誕生以來，得到了較快（kuài）的發展和較廣的應用，對其他（tā）鍍膜方法的發展產生了很大的影響（xiǎng）。通過大量的實踐，浦（pǔ）元真空總結（jié）出（chū）這（zhè）種技術的優缺點，如下文所示。

　　優點：
　　1.沉積速率高，襯（chèn）底溫升低，對薄膜損傷小；
　　2.對於大（dà）多數材料，隻要能製（zhì）造出靶（bǎ）材，就可以實現濺射；
　　3.濺射（shè）得到的薄膜與基底結合良好；
　　4.濺射得到的薄膜純度較高，密度好，均勻性好；
　　5.結果表明，濺射工藝具有（yǒu）良好的重複性，在大麵（miàn）積襯底上可獲得厚度均（jun1）勻的薄膜（mó）；
　　6.可以準確控製塗層厚度，通過改變參數來控製薄膜的粒徑；
　　7.不同的金屬、合金（jīn）和氧化物可以混合，同時（shí）濺射在基體上；
　　8.易（yì）於工業化。


　　但是磁控（kòng）濺射也存（cún）在一些（xiē）問題（tí）
　　1.該技術（shù）所使用的環形磁場迫使次（cì）級電子圍繞環形磁場跳躍。因此，由環形磁場控製的區域是等離（lí）子體密（mì）度較高的區域。在該技術中，我（wǒ）們（men）可以看到濺射氣體氬在這一區域發出強烈的淡藍色光芒，形成光暈。光暈下（xià）的靶是離子轟擊比（bǐ）較（jiào）嚴重的部分，它會濺出一個圓形（xíng）的溝槽。環形磁場是電子運動的軌道，環形輝光和溝槽生動地（dì）表（biǎo）現了這一點。靶材的濺射槽（cáo）一旦穿透靶材，整個（gè）靶（bǎ）材就會（huì）報廢，靶材利用率不高，一般低於40%；
　　2.等離子體不穩定；
　　3.由於（yú）基本的磁通量均不能通過磁性靶，所以在靶麵附近不可能產生外加磁場。

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